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Intel:7nm、5nm、3nm都會有的!

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發表時間:2019-03-31 09:11來源:快科技
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3月28日,Intel在京舉辦一年一度的媒體紛享會,全景介紹了Intel面向未來的公司戰略,技術和產品方面也披露了不少干活,比如大家非常關心的制程工藝。

制程工藝、封裝技術被Intel視為公司發展的六大戰略支柱之一,甚至可以說最基礎的之首,一直在不遺余力地推進。

10nm工藝目前的良品率已經提高到滿意水平,今年底開始就會進入各個領域,包括消費級筆記本的Ice Lake、3D封裝的Lakefiled、數據中心的Ice Lake、5G移動通信的Snow Ridge。

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面相未來,Intel也一直有清晰的路線圖。Intel中國研究院院長宋繼強在演講中就明確列出了7nm、5nm、3nm工藝,而為了實現這些高級工藝,Intel認為需要在材料、技術等各方面尋求全新的突破,包括III-V晶體管、3D堆疊、材料合成、2D材料、納米線晶體管、EUV圖案成型、密集互聯、密集內存等等。

Intel提出了從以晶體管為中心向以數據為中心轉型的大方向,宋繼強院長也強調,單純依靠晶體管縮微來發展是不現實的,必須多元化多方位入手,尤其是強化架構革新。

至于7/5/3nm工藝何時實現,眼下當然不會有明確的時間表。宋院長在接受快科技采訪的時候表示,新工藝的更新步伐會減慢,但是摩爾定律的經濟效益會繼續存在,因為摩爾定律不僅僅是關于晶體管密度的增加,也包含了單位成本的降低。

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